ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT53B512M32D2NP-062 AIT:C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-WFBGA (10x14.5) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-WFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512M x 32 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1.6 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53B512 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT53B512M32D2NP-062 AIT:C | MT53B512M32D2NP-062 WT:C | MT53B512M32D2NP-053 WT:C | MT53B512M32D2NP-053 WT:E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 95°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-WFBGA (10x14.5) | 200-WFBGA (10x14.5) | 200-WFBGA (10x14.5) | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512M x 32 | 512M x 32 | 512M x 32 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | 1.1V | 1.1V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-WFBGA | 200-WFBGA | 200-WFBGA | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Gbit | 16Gbit | 16Gbit | - |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - |
| ความถี่นาฬิกา | 1.6 GHz | 1.6 GHz | 1.866 GHz | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53B512 | MT53B512 | MT53B512 | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT53B512M32D2NP-062 AIT:C PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT53B512M32D2NP-062 AIT:C - Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-053 WT:EMicron TechnologyMT53B512M64D4NJ-062 WT:BMicron TechnologyMT53B512M32D2NP-062 XTMicron TechnologyMT53B512M32D2NP-053WT:CMicron TechnologyMT53B512M32D2NP-053 WTCMicron TechnologyMT53B512M32D2NP-062 WTCMicron Technology
MT53B512M32D2DS-062AITCAMD XilinxMT53B512M32D2NPMicron TechnologyMT53B512M64D4NK-053Micron TechnologyMT53B512M32D2NP-062 WT:CMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGAMT53B512M32D2NP-053 WT:CMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53B512M32D2NP-062Micron Technology
MT53B512M64D4NJ-062 WTBMICORNMT53B512M32D2NP-053Micron TechnologyMT53B512M32D2NP-062WT:CMicron TechnologyMT53B512M64D4NH-062 WTCMicron TechnologyMT53B512M32D2NP-062 AATMicron TechnologyMT53B512M64D4NH-062MICRON SEMIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที